1、1.第一代半導體材料主要是指硅(Si)、鍺元素(Ge)半導體材料。
(資料圖)
2、作為第一代半導體材料的鍺和硅,在國際信息產(chǎn)業(yè)技術中的各類分立器件和應用極為普遍的集成電路、電子信息網(wǎng)絡工程、電腦、手機、電視、航空航天、各類軍事工程和迅速發(fā)展的新能源、硅光伏產(chǎn)業(yè)中都得到了極為廣泛的應用,硅芯片在人類社會的每一個角落無不閃爍著它的光輝。
3、2.第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料,如砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb);三元化合物半導體,如GaAsAl、GaAsP;還有一些固溶體半導體,如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半導體(又稱非晶態(tài)半導體),如非晶硅、玻璃態(tài)氧化物半導體;有機半導體,如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。
4、3.第三代半導體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶半導體材料。
5、在應用方面,根據(jù)第三代半導體的發(fā)展情況,其主要應用為半導體照明、電力電子器件、激光器和探測器、以及其他4個領域,每個領域產(chǎn)業(yè)成熟度各不相同。
6、在前沿研究領域,寬禁帶半導體還處于實驗室研發(fā)階段。
7、擴展資料Si和化合物半導體是兩種互補的材料,化合物的某些性能優(yōu)點彌補了Si晶體的缺點,而Si晶體的生產(chǎn)工藝又明顯的有不可取代的優(yōu)勢,且兩者在應用領域都有一定的局限性,因此在半導體的應用上常常采用兼容手段將這二者兼容,取各自的優(yōu)點,從而生產(chǎn)出符合更高要求的產(chǎn)品,如高可靠、高速度的國防軍事產(chǎn)品。
8、因此第一、二代是一種長期共同的狀態(tài)。
9、但是第三代寬禁帶半導體材料,可以被廣泛應用在各個領域,消費電子、照明、新能源汽車、導彈、衛(wèi)星等,且具備眾多的優(yōu)良性能可突破第一、二代半導體材料的發(fā)展瓶頸,故被市場看好的同時,隨著技術的發(fā)展有望全面取代第一、二代半導體材料。
10、參考資料百度百科——半導體材料。
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