【資料圖】

NMOS開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路

注：

Q5：一個(gè)NMOS管。

R25/100R 的作用：防止振蕩減少柵極充電的峰值電壓，保護(hù)NMOS管的D-S及不被擊穿防止震蕩，GPIO口輸出端可能有些雜散的電感，在電壓突變的情況下，可能會(huì)產(chǎn)生LC振蕩，當(dāng)我們加入R25之后，會(huì)提高阻尼減少振蕩。

減少柵極充電的峰值電壓，當(dāng)柵極的電壓拉高，首先對(duì)柵極的寄生電容進(jìn)行充電，I=Q/t。充電的峰值電流可能大于GPIO的輸出能力，為了保護(hù)IC,添加R25之后，可能有效的增長(zhǎng)充電的時(shí)間，進(jìn)而減小充電時(shí)候的電流。

從導(dǎo)通到截止?fàn)顟B(tài)，VDS電壓迅速增加，如果dVDS/dt過(guò)大，可能會(huì)燒壞器件，R17的存在可以讓柵極電容緩慢放電，從而保護(hù)mos管。

R26 10K的作用：

下拉型抗干擾電阻，GPIO輸出狀態(tài)下，在Nmos端，可以看出mos端處于一個(gè)高阻態(tài)或者懸浮的一個(gè)狀態(tài)，為了避免意外打開(kāi)mos管，加上了個(gè)10k下拉。

審核編輯：湯梓紅

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