【資料圖】
1、 MOS（金屬-氧化物-半導體）場效應管，簡稱MOS管（或器件），其核心結構是由導體、絕緣體與構成管子襯底的摻雜半導體這三層材料疊在一起組成的。
2、在電學上MOS管作為一種電壓控制的開關器件。
3、描述NMOS器件在三個區(qū)域中性能的理想表達式即為薩氏方程。
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1、 MOS（金屬-氧化物-半導體）場效應管，簡稱MOS管（或器件），其核心結構是由導體、絕緣體與構成管子襯底的摻雜半導體這三層材料疊在一起組成的。
2、在電學上MOS管作為一種電壓控制的開關器件。
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